|
| एमओक्यू: | 1 टुकड़ा/टुकड़े |
| प्रसव अवधि: | 4-8weeks |
| भुगतान विधि: | टी/टी |
| आपूर्ति क्षमता: | 100,000 / वर्ष |
808nm तरंग दैर्ध्य
30W उत्पादन शक्ति
400μm फाइबर कोर व्यास
0.22 एनए
अनुप्रयोग:
सॉलिड-स्टेट लेजर पंपिंग
चिकित्सा उपयोग
सामग्री प्रसंस्करण
| विनिर्देशों (25 ℃) | प्रतीक | इकाई | K808DAECN-30.00W | |||
| न्यूनतम | ठेठ | ज्यादा से ज्यादा | ||||
ऑप्टिकल डेटा | सीडब्ल्यू-आउटपुट पावर | पो | डब्ल्यू | 30 | - | - |
| थ्रेसहोल्ड करंट | ith | ए | - | 1.8 | ||
| चालू बिजली | IOP | ए | - | 10 | 1 1 | |
| प्रचालन वोल्टेज | VOP | वी | - | - | 8 | |
| रिवर्स वोल्टेज | VRE | वी | - | 10 | - | |
| ढलान क्षमता | η | वा | - | 4 | - | |
| विद्युत से ऑप्टिकल क्षमता | पी.ई | % | - | 48 | - | |
| केंद्र तरंग दैर्ध्य | ʎc | एनएम | 805 | - | 811 | |
| वर्णक्रमीय चौड़ाई (FWHM) | δλ | एनएम | - | 3 | - | |
| तापमान के साथ तरंग दैर्ध्य शिफ्ट | - | एनएम / ℃ | - | 0.3 | - | |
| करंट के साथ वेवलेंथ शिफ्ट | - | एनएम / A | - | 1 | - | |
| फाइबर डाटा | बफर व्यास | Dbuf | सुक्ष्ममापी | - | 730 | - |
| क्लैडिंग व्यास | Dclad | सुक्ष्ममापी | - | 440 | - | |
| कोर व्यास | Dcore | सुक्ष्ममापी | - | 400 | - | |
| न्यूमेरिक एपर्चर | NA | - | - | 0.22 | - | |
| योजक | - | - | - | SMA905 | ||
| thermistor | - | Rt | (के () / β (25 ℃) | - | 10 ± 3% / 3477 | - |
| अन्य | ईएसडी | Vesd | वी | - | 500 | |
| भंडारण तापमान | Tstg | ℃ | -20 | - | 70 | |
| लीड टांका लगाना अस्थायी | टीएलएस | ℃ | - | - | 260 | |
| लीड टांका लगाने का समय | टी | सेकंड | - | - | 10 | |
| ऑपरेटिंग केस तापमान | ऊपर | ℃ | 15 | - | 35 | |
| सापेक्षिक आर्द्रता | आरएच | % | 15 | - | 75 | |
|
|
| एमओक्यू: | 1 टुकड़ा/टुकड़े |
| प्रसव अवधि: | 4-8weeks |
| भुगतान विधि: | टी/टी |
| आपूर्ति क्षमता: | 100,000 / वर्ष |
808nm तरंग दैर्ध्य
30W उत्पादन शक्ति
400μm फाइबर कोर व्यास
0.22 एनए
अनुप्रयोग:
सॉलिड-स्टेट लेजर पंपिंग
चिकित्सा उपयोग
सामग्री प्रसंस्करण
| विनिर्देशों (25 ℃) | प्रतीक | इकाई | K808DAECN-30.00W | |||
| न्यूनतम | ठेठ | ज्यादा से ज्यादा | ||||
ऑप्टिकल डेटा | सीडब्ल्यू-आउटपुट पावर | पो | डब्ल्यू | 30 | - | - |
| थ्रेसहोल्ड करंट | ith | ए | - | 1.8 | ||
| चालू बिजली | IOP | ए | - | 10 | 1 1 | |
| प्रचालन वोल्टेज | VOP | वी | - | - | 8 | |
| रिवर्स वोल्टेज | VRE | वी | - | 10 | - | |
| ढलान क्षमता | η | वा | - | 4 | - | |
| विद्युत से ऑप्टिकल क्षमता | पी.ई | % | - | 48 | - | |
| केंद्र तरंग दैर्ध्य | ʎc | एनएम | 805 | - | 811 | |
| वर्णक्रमीय चौड़ाई (FWHM) | δλ | एनएम | - | 3 | - | |
| तापमान के साथ तरंग दैर्ध्य शिफ्ट | - | एनएम / ℃ | - | 0.3 | - | |
| करंट के साथ वेवलेंथ शिफ्ट | - | एनएम / A | - | 1 | - | |
| फाइबर डाटा | बफर व्यास | Dbuf | सुक्ष्ममापी | - | 730 | - |
| क्लैडिंग व्यास | Dclad | सुक्ष्ममापी | - | 440 | - | |
| कोर व्यास | Dcore | सुक्ष्ममापी | - | 400 | - | |
| न्यूमेरिक एपर्चर | NA | - | - | 0.22 | - | |
| योजक | - | - | - | SMA905 | ||
| thermistor | - | Rt | (के () / β (25 ℃) | - | 10 ± 3% / 3477 | - |
| अन्य | ईएसडी | Vesd | वी | - | 500 | |
| भंडारण तापमान | Tstg | ℃ | -20 | - | 70 | |
| लीड टांका लगाना अस्थायी | टीएलएस | ℃ | - | - | 260 | |
| लीड टांका लगाने का समय | टी | सेकंड | - | - | 10 | |
| ऑपरेटिंग केस तापमान | ऊपर | ℃ | 15 | - | 35 | |
| सापेक्षिक आर्द्रता | आरएच | % | 15 | - | 75 | |
